本申请公开了一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括：对制绒之后的P型硅片正面进行磷扩散，得到的磷扩散层形成发射结；对所述磷扩散层进行热氧化，形成隧道氧化层；在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜；去除所述P型硅片背面的绕镀和绕扩层，正面沉...

本发明公开了一种全铝背场晶体硅太阳能电池背面银浆、其制备方法及用途，该银浆主要由1020份球形银粉、4060份片状银粉、36份无铅玻璃粉、14份银铝合金阻隔剂、2030份有机载体及0.20.5份加工助剂组成；其制备步骤为：按配方重量份数准确称量各物料于容器中，首先在行星式离心...

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片资源分类回收方法，包括以下步骤：清洁晶体硅太阳能电池片得到干净的硅晶片；去除硅晶片表面的铝；去除硅晶片表面的银；去除硅晶片表面的防反射层以及N型结：在室温下，将已经去除铝和银的硅晶片洗干净，放入混合酸水溶液中，混合酸水溶...

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种晶体硅太阳能电池无主栅正银浆料，它的成分由下列重量百分比的原料组成：银粉75～90%，玻璃粉1～8%，有机载体5～15%，助剂0～3%，余量为溶剂，有机载体采用乙基纤维素，其它树脂选自松香、聚酰胺、聚酯、丙烯酸树脂、醇酸树脂、环...

本发明涉及电子材料技术领域，尤其是一种PERC晶体硅太阳能电池正银浆料，各组分的质量百分含量为：1～90%银粉，5～15%有机载体，1～8%玻璃粉，助剂0～3%，助熔剂0.01～0.2%，各组分含量之和为100%。所述助熔剂为从La、Ce、Nd、Eu、Gd、Tm、Er中选择的一种或几种金属或其金属...

本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括如下步骤：依次进行三步扩散和推进，其中，第一步扩散和第一次推进的中心温度为810℃，第二步扩散和第二次推进的中心温度为820℃，第三步扩散和第三次推进的中心温度为830℃，于每步扩散中通入携带磷源氮气。本发明实...

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的镀膜工艺，采用在晶体硅基板表面溅射单层硼铝化合物减反射膜；溅射方法：对晶体硅基板表面进行预清洗；将经过预清洗的晶体硅表面进行刻蚀操作；将经过刻蚀操作的晶体硅转移至磁控溅射室内，作为基材，采用单质铝作为靶材，充入硼氢烷和惰...

本发明公开了一种具有交叉电极的晶体硅太阳能电池，包括单晶硅片，在所述一面设有背反射层，在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构，在所述单晶硅片的一端设有正电极，单晶硅片的另一端设有负电极，在所述正电极的内侧设有P+掺杂层，在所述负电极的内侧设有N+掺杂层...

本发明公开了一种抗PID效应晶体硅太阳能电池的制作方法，抗PID效应晶体硅太阳能电池在硅基层和氮化硅膜之间形成一层二氧化硅，具体步骤如下：对硅基片进行前工序处理，处理包括去损伤层清洗、制绒、扩散和刻蚀步骤；将处理后的硅基片进行去磷硅玻璃清洗；将清洗后的硅基片浸...

本发明公开了一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池，包括P型硅基体，P型硅基体的正面设有磷扩散层、绒面织构、减反钝化膜、正面银电极，背面设置有纳米氧化硅层、非晶/多晶P+层、透明导电薄膜层、背面银电极；其能够有效改进光线吸收和电流收集，减少光学和电学损失。本发明还...