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太阳能电池封装胶膜生产工艺技术 太阳能电池封装胶膜制造方法

1 一种阻水封装胶膜及其制备方法 2 一种阻燃型封装胶膜及其制备方法 3 一种搭配透明背板用POE封装胶膜及其制备方法 4 一种红外紫外阻隔封装胶膜及其制备方法 5 一种提高太阳能光伏组件色彩层与胶膜封装牢度的方法 6 一种封装胶膜 7 一种胶膜封装工艺 8 光伏封装胶膜及其制备...

/syzl/diangongdianchi/26460.html 类别: 电工电池 日期: 2022-02-20
太阳能电池串生产工艺 太阳能电池串技术 太阳能电池串叠放方法

1 方形锂电池串联化成设备电流电压校正设备及校准方法 2 一种金属合金串联联接的叠瓦光伏组件电池串及制备方法 3 焊带处理设备、电池串生产线及焊带处理方法 4 修复太阳能电池串的校正方法及校正装置 5 太阳能电池串待剔除电池片的剔除方法及装置 6 一种修复太阳能电池串的装...

/syzl/diangongdianchi/26273.html 类别: 电工电池 日期: 2022-02-05
敏化太阳能电池生产工艺 敏化太阳能电池制备方法 敏化太阳能电池技术

1、一种近红外宽带吸收的染料敏化太阳能电池的光阳极及其制备方法 2、一种金属电极柔性染料敏化太阳能电池的结构及其制备方法 3、一种三维多孔结构染料敏化太阳能电池对电极的制备方法 4、基于三磷化钴二元对电极在染料敏化太阳能电池中的应用 5、一种近红外宽带吸收的染料敏...

/syzl/diangongdianchi/25879.html 类别: 电工电池 日期: 2022-01-14
一种太阳能电池及其制备方法 CN202011308567.7

本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括设有氧化铝膜的晶体硅片,以及位于所述设有氧化铝膜的晶体硅片的相对两面上的正面减反膜结构和背面钝化膜结构;所述氧化铝膜位于所述晶体硅表面;所述正面减反膜结构的折射率大于或等于2.14。该发明中利用热生长...

/faming/24903.html 类别: 发明专利 日期: 2021-03-05
一种太阳能电池及其制作方法 CN202010933895.X

本发明公开了一种太阳能电池的制作方法,该制作方法包括:在衬底上形成发电层;在发电层的背向衬底的表面上形成欧姆接触层;在衬底的背向发电层的表面上形成背电极;采用印刷工艺在欧姆接触层的背向发电层的表面上形成顶电极。本发明还公开了一种太阳能电池。本发明解决了目...

/faming/24888.html 类别: 发明专利 日期: 2020-12-28
电子传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池及其制备方法 CN202010885233.X

本发明涉及一种电子传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池及其制备方法。电子传输层的制备方法包括如下步骤:将金属盐溶于第一溶剂中,得到金属盐溶液;之后向金属盐溶液中加入金属盐包裹剂,混匀之后加入C1C4有机胺的醇溶液,混匀后得到混合溶液;将混合溶液升温至120℃~1...

/faming/24887.html 类别: 发明专利 日期: 2020-12-28
一种稳定高效的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 CN202011082370.6

本发明公开了一种稳定高效的钙钛矿太阳能电池及制备方法,其结构由下至上由导电基底层、空穴传输层、光活性层、界面钝化层、电子传输层、缓冲层和顶电极组成;其中:界面钝化层为聚脲层,所述聚脲的结构通式如式Ⅰ所示:本发明首次提出利用聚脲作为界面钝化层材料,钝化钙钛...

/faming/24883.html 类别: 发明专利 日期: 2020-12-28
硅异质结太阳能电池及其制作方法 CN202010723462.1

本发明公开一种硅异质结太阳能电池以及硅异质结太阳能电池的制作方法,涉及太阳能电池技术领域,以在保证本征非晶硅层钝化效果的同时,提高本征非晶硅层的膜层质量。该硅异质结太阳能电池,包括:晶硅基底;至少形成在晶硅基底一面上的本征非晶硅叠层;本征非晶硅叠层包括层...

/faming/24875.html 类别: 发明专利 日期: 2020-11-30
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 CN201910361499.1

本发明提供一种钙钛矿太阳能电池,包括钙钛矿吸收层,所述钙钛矿吸收层包括化学通式为ABX3的化合物和第一Ma+及Mb+氧化还原电对,所述化学通式为ABX3的化合物和所述第一Ma+及Mb+氧化还原电对发生反应产生的生成物中包含第二Ma+及Mb+氧化还原电对;所述第一Ma+和Mb+氧化还原电...

/faming/24863.html 类别: 发明专利 日期: 2020-10-30
一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法 CN202010528210.3

本发明公开了一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法,该超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片包括:PI膜;PI膜上表面设有P型电极;P型电极上的P型InGaAs接触层、InGaAs底电池、缓冲层、第二隧穿结、GaAs中电池、第一隧穿结、GaInP顶电池、N型GaAs接触层;N型GaAs接触层上的...

/faming/24860.html 类别: 发明专利 日期: 2020-09-30
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